金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体存储器装置制造方法”的专利，公开号CN120475713A，申请日期为2024年07月。

　　专利摘要显示，半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。在基板的主动区中形成字线沟槽。在字线沟槽中形成氧化物衬垫，使得在形成氧化物衬垫之后字线沟槽在字线沟槽的第一个开口处具有第一宽度。在字线沟槽中形成字线金属。在基板的主动区上方形成氮化物层。图案化氮化物层以形成与字线沟槽的第一开口连通的第二开口，其中第二开口具有大于第一宽度的第二宽度。此方法形成梯形轮廓的氮化物材料以保护字线沟槽中的共形氧化物层和氧化物衬垫的剩余部分免遭进一步蚀刻。